類型：N溝道 漏源電壓(Vdss)：650V 連續(xù)漏極電流(Id)：4A 功率(Pd)：23.3W 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.6Ω@10V,2A 閾值電壓(Vgs(th)@Id)：4.5V@250A
下載數(shù)據(jù)手冊 在線咨詢產品名稱：高壓MOS管SL4N65F
產品概述：
高壓MOS管SL4N65F是一款N溝道MOS場效應管，具有650V漏源電壓和4A連續(xù)漏極電流，適用于高電壓、大電流場合。采用TO-220F封裝，便于安裝和散熱。
性能參數(shù)：
- *大漏極-源極電壓：650V
- *大漏極電流：4A
- *大導通電阻：2.6Ω@10V,2A
- 閾值電壓：4.5V@250A
- 輸入電容：850pF@25V
- 反向傳輸電容：1.2nF@25V
- 柵極電荷：11nC@10V
- 工作溫度范圍：-55℃ ~ +150℃@(Tj)
應用領域：
高壓MOS管SL4N65F廣泛應用于需要承受高電壓、大電流的場合，如電源、照明、電動工具等領域。
安裝說明：
1. 請在無靜電保護措施的情況下操作。
2. 安裝前請清潔散熱器和芯片表面，確保無塵、無油。
3. 芯片正面朝向散熱片，用合適的螺絲固定。
4. 注意安裝時不要損壞芯片，防止靜電干擾。
注意事項：
1. 請勿將該器件用于超出規(guī)定條件的環(huán)境和用途。
2. 使用時請按照使用說明書正確操作，以免對器件造成損壞。
3. 禁止對器件進行改裝和拆卸。
4. 當存儲器件時，請避免超出規(guī)定的環(huán)境溫度和濕度范圍。
| 文件名稱 | 標題 | 說明 |
|---|---|---|
| SL4N65F.pdf | SL4N65F | - |
支持
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Longevity
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高壓MOS管SL10N65F是一款N溝道MOS場效應管，主要用于高壓開關電源、電機控制、照明等領域。它具有漏源電壓高、導通電阻小、工作可靠性好等特點。
SL7N65F高壓MOS管是由薩科微Slkor生產的高性能功率MOSFET，設計用于承受高電壓并在高功率應用中提供高效的電流控制。這款MOSFET以其*的電氣特性和耐用性，在高壓開關和功率放大應用中表現(xiàn)*。
薩科微slkor高壓MOS管SL87N120A是一款高性能的N溝道高壓MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管），專為高電壓、大電流應用而設計。它采用*的半導體工藝制造，具有*的電氣特性和高可靠性，是電力電子系統(tǒng)、電機驅動、電源轉換及工業(yè)控制等領域的理想選擇。該器件憑借其*的電氣性能，能夠有效地提升系統(tǒng)效率，降低能耗，并簡化電路設計。
薩科微slkor高壓MOS管SL8N65F是一款專為高壓應用設計的N溝道MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管），其*的高壓承受能力和穩(wěn)定的電氣性能，使其成為眾多高電壓、低電流電子系統(tǒng)的理想選擇。該器件以其高效、可靠的特性，在電力轉換、開關控制等領域發(fā)揮著重要作用。
這是一款高壓N溝道MOS管，型號為SL42N120A。該器件具有1.2kV的漏源電壓，42A的連續(xù)漏極電流和300W的功率，適用于高壓開關和功率轉換應用。TO-247-3封裝使其易于安裝和使用。
SL13N45F是一款高壓N溝道MOS管，主要應用于電源管理和電機控制等領域。其漏源電壓高達450V，連續(xù)漏極電流可達13A，*大功率為39W。導通電阻為470mΩ@10V,5.5A，閾值電壓為4V@250uA，可在高壓條件下穩(wěn)定工作。
SL13N50FS是薩科微slkor一款高性能N溝道MOS管，適用于各種高壓開關應用。該器件具有優(yōu)秀的低導通電阻、低開關損耗和快速開關速度，可提高系統(tǒng)效率和可靠性。
SL11N65CF1 是薩科微（Slkor）生產的 N溝道MOS場效應管，專為要求高電壓和中等功率的應用而設計。其*的電氣性能和可靠性使其成為多種場合下的理想選擇。
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