電子百科

薩科微電子百科，分享與科普半導體電子產品知識，為新老客戶及各電子工程師答疑解惑。

激光二極管芯片結構是怎樣的？

更新日期： 2024-11-19
瀏覽次數： 1981

法布里-珀羅型LD是由n/p包層、夾在包層之間的有源層(發光層) 和2片鏡片端面構成。

查看詳情 >>

激光二極管有哪些特點及用途？

更新日期： 2024-11-19
瀏覽次數： 1807

激光二極管充分利用直進性、微小光斑尺寸 (數um～)、單色性、高光密度、相干性 (coherent) 這些特點，被用在各種應用上面。

查看詳情 >>

晶體管的主要功能

更新日期： 2024-07-04
瀏覽次數： 2302

晶體管的主要功能是放大和開關電信號。它在現代電子設備中起著至關重要的作用，例如在收音機中，晶體管能夠放大從空中傳輸過來的微弱信號，然后通過揚聲器播放出來，這就是晶體管的放大功能。

查看詳情 >>

柵極-源極電壓產生的浪涌

更新日期： 2024-05-10
瀏覽次數： 2465

柵極-源極電壓產生的浪涌是指在功率半導體器件（如MOSFET和IGBT）工作時，由于電壓和電流的變化導致柵極和源極之間出現的意外、瞬時的電壓波動現象。這種現象通常會在開關操作時出現，特別是在高速開關過程中更為顯著。

查看詳情 >>

LS MOSFET低邊開關關斷時的柵極 – 源極間電壓的動作

更新日期： 2024-05-09
瀏覽次數： 2207

LS MOSFET關斷時的電流動作的等效電路和波形示意圖。與導通時的做法一樣，為各事件進行了。與導通時相比，只是VDS和ID變化的順序發生了改變，其他基本動作是一樣的。與導通時的事件之間的對應關系：

查看詳情 >>

SiC MOSFET低邊開關導通時的Gate-Source間電壓的動作

更新日期： 2024-05-08
瀏覽次數： 1998

當SiC MOSFET的LS導通時，首先ID會發生變化。在這個過程中，LS的ID沿增加方向流動，而HS的ID沿減少方向流動，受到等效電路圖中表示的事件影響，產生了電動勢。這個電動勢會導致電流流向源極側對CGS進行充電，在LS處將VGS向下推，在HS處將VGS向負極側拉，產生負浪涌。

查看詳情 >>

當SiC MOSFET橋式電路開關時產生的電流和電壓是怎樣的？

更新日期： 2024-04-30
瀏覽次數： 2291

dVDS/dt和dID/dt既可以為正也可以為負，因此它們產生的電流和電壓在導通（Turn-on）和關斷（Turn-off）時的極性是不同的。

查看詳情 >>

SiC MOSFET橋式結構的柵極驅動電路

更新日期： 2024-04-29
瀏覽次數： 2406

LS（低側）側SiC MOSFET在Turn-on和Turn-off時的VDS和ID變化方式不同。在討論SiC MOSFET的這種變化對Gate-Source電壓（VGS）的影響時，需要考慮包括SiC MOSFET的柵極驅動電路在內的等效電路。

查看詳情 >>

SiC MOSFET的橋式結構

更新日期： 2024-04-28
瀏覽次數： 2367

SiC MOSFET構建的同步式升壓電路中最簡單的橋式結構。

查看詳情 >>

SiC-MOSFET與Si-MOSFET相比，區別在哪？

更新日期： 2024-04-24
瀏覽次數： 3254

SiC-MOSFET與Si-MOSFET相比，具有以下區別：驅動電壓由于SiC-MOSFET的漂移層電阻低、通道電阻高的特性，其驅動電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高時，導通電阻越低。SiC-MOSFET的導通電阻從Vgs約為20V開始變化（下降）并逐漸減小，接近最小值。一般的IGBT和Si-MOSFET的驅動電壓為Vgs=10～15V，而SiC-MOSFET建議在Vgs=18V左右驅動，以充分獲得低導通電阻。換句話說，兩者之間的區別之一是SiC-MOSFET的驅動電壓要比S

查看詳情 >>